来燕电子所有技术专利皆为自主开发。 目前已拥有国内专利16项， 并同时在申请另外3项同类技术。 来燕的重点项目MTP已自主完成基于0.18微米工艺设计的128字节及8000字节两款产品， 样本已经从中芯国际的生产线下线（tape-out）， 并开始物理和压力测试。 来燕能根据各制造商不同的规格要求， 设计并生产客户所需的相应产品.
0.18微米技术是目前最稳定的嵌入式闪存制造工艺。 我公司已成熟掌握基于该工艺的设计技术， 已推出第一批产品样本， 供潜在客户测试。
0.13微米技术是目前世界上较为先进的闪存制造工艺。 我公司核心技术人员已开始研发基于该工艺的产品， 并预计在2012年底推出样品。
目前， 来燕电子已申请了16项国家专利。PCT国际专利正在准备申请中。
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